Ehrlich-Schwoebel 效应对 GaAs(111)A 表面生长动力学的影响
材料科学
2017-07-12 v1
摘要
我们对 Ga(Al)As(111)A 表面的生长动力学进行了详细的表征。我们开发了一个理论生长模型，该模型很好地描述了在生长参数上观察到的行为，并强调了 Ehrlich-Schwoebel 势垒是决定生长动力学的主导因素。在此基础上，我们分析了导致在这种表面取向上观察到巨大粗糙度的因素，并确定了将 Ga(Al)As(111)A 典型的三维生长转变为原子级平坦表面的生长条件。在优化表面（粗糙度 <0.2 nm）上制备的 GaAs/AlGaAs 量子阱表现出 4.5 meV 的创纪录低发射线宽。
引用
@article{arxiv.1704.01853,
title = {Ehrlich-Schwoebel Effect on the Growth Dynamics of GaAs(111)A surfaces},
author = {Luca Esposito and Sergio Bietti and Alexey Fedorov and Richard Noetzel and Stefano Sanguinetti},
journal= {arXiv preprint arXiv:1704.01853},
year = {2017}
}