角外延异质结构的纳米级锐度
材料科学
2009-11-13 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
利用透射电子显微镜和扫描透射电子显微镜对角外延 GaAs/AlGaAs 异质结构进行了研究，证明了宽度为 3.5 nm 的极锐利角轮廓的自限制生长。在 AlGaAs 层中，我们观察到自有序的对角条纹，这些条纹精确地在角处析出，XEDS 分析显示其为铝含量增加的区域。针对本案例中的刻面 MBE 生长，调整了自限制生长的定量模型，并讨论了角锐度与量子受限结构的关系。我们指出，MBE 角外延即使在生长数微米后仍能保持纳米级锐度，从而实现角形纳米结构。
引用
@article{arxiv.0803.3986,
title = {Nanometer-scale sharpness in corner-overgrown heterostructures},
author = {L. Steinke and P. Cantwell and D. Zakharov and E. Stach and N. J. Zaluzec and A. Fontcuberta i Morral and M. Bichler and G. Abstreiter and M. Grayson},
journal= {arXiv preprint arXiv:0803.3986},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 3 figures