ZnSe 纳米线中 CdSe 量子点的嵌入：MBE 生长与微观结构分析
材料科学
2012-08-01 v1
摘要
在沉积于 GaAs 衬底上的 ZnSe (100) 和 (111)B 缓冲层上，已成功实现了 ZnSe 纳米线的生长。在 (100) 衬底上获得了立方 [100] 取向的 ZnSe 纳米线或 [0001] 取向的六方纳米线，而在 (111)B 衬底上获得了 [111] 取向的立方区域与 [0001] 取向的六方区域混合的结构。在后一种情况下，大多数纳米线垂直于表面。透射电子显微镜、能量过滤 TEM 和高角环形暗场扫描 TEM 测量证明，CdSe 量子点已成功掺入 ZnSe 纳米线中。
引用
@article{arxiv.1207.7135,
title = {Insertion of CdSe quantumdots in ZnSe nanowires : MBE growth and microstructure analysis},
author = {Martien Den Hertog and Miryam Elouneg-Jamroz and Edith Bellet-Amalric and Samir Bounouar and Catherine Bougerol and Régis André and Yann Genuist and Jean Philippe Poizat and Kuntheak Kheng and Serge Tatarenko},
journal= {arXiv preprint arXiv:1207.7135},
year = {2012}
}