ZrN 核层为 MBE 生长的 GaN 纳米线提供背面 ohmic 接触
介观与纳米尺度物理
2025-03-03 v2
摘要
自组装的 GaN 纳米线通常在硅亚上生长，需便利的核层。基于 GaN 纳米线阵列的发光器件要求核层具有电导性且对光不透明，以防止光在硅亚中被吸收。本研究报告了在石英上纳米化学束生长法生长的 GaN 纳米线，证明 ZrN 可为密集的垂直 n 型 GaN 纳米线阵列提供 ohmic 接触。通过在扫描电子显微镜中使用纳米操作针对单个生长纳米线测量其电压-电流特性，证明了 ZrN/n 型 GaN 纳米线接触的 ohmic 性质。讨论了单纳米线测量的局限性与优势，并提出了克服这些局限的方法。通过测量带有 p-n 结的单个纳米线，显示其具有高度整流特性，证明了该概念的可行性。
引用
@article{arxiv.2502.19129,
title = {ZrN nucleation layer provides backside ohmic contact to MBE-grown GaN nanowires},
author = {Stanislav Tiagulskyi and Roman Yatskiv and Marta Sobanska and Karol Olszewski and Zbigniew R. Zytkiewicz and Jan Grym},
journal= {arXiv preprint arXiv:2502.19129},
year = {2025}
}
备注
replacement: misspelled author name correction (Marta Sobanska)