ZnSe纳米线中的CdSe量子点：高达220 K的高效单光子源
介观与纳米尺度物理
2009-11-13 v1
摘要
通过分子束外延，在金催化剂辅助的气-液-固生长模式下生长了ZnSe纳米线异质结构。发现尺寸、形状和晶体结构强烈依赖于生长条件。使用透射电子显微镜观察到闪锌矿和纤锌矿两种晶体结构。在低温生长时，形成锥形纳米针。对于较高生长温度，纳米线均匀且具有高长径比，长度1-2 m，宽度20-50 nm，如扫描电子显微镜所观察。在纳米针顶部生长纳米线，使我们能够获得直径小于10 nm且堆垛层错缺陷密度极低的非常窄的纳米棒。这些结果使我们能够在ZnSe纳米线中插入CdSe量子点。在高达220 K的温度下观察到高效的光子反聚束，证明了一种高温单光子源。
引用
@article{arxiv.0809.2946,
title = {CdSe quantum dots in ZnSe nanowires as efficient source for single photons up to 220 K},
author = {Thomas Aichele and Adrien Tribu and Gregory Sallen and Juanita Bocquel and Edith Bellet-Amalric and Catherine Bougerol and Jean-Philippe Poizat and Kuntheak Kheng and Régis André and Serge Tatarenko},
journal= {arXiv preprint arXiv:0809.2946},
year = {2009}
}