从波纹到圆顶岛的转变：Ge在邻晶Si(1 1 10)表面上的生长演化
介观与纳米尺度物理
2010-09-28 v1
摘要
我们展示了一项详细的扫描隧道显微镜研究，描述了Ge在邻晶Si(1 1 10)表面上生长过程中从波纹岛到圆顶岛的形态转变。我们的实验结果表明，Ge岛在该表面上的形状演化与在平坦Si(001)衬底上显著不同，并且是通过多个波纹的聚集和合并完成的。通过将第一性原理计算与连续弹性理论相结合，我们为实验观察提供了精确的解释。
引用
@article{arxiv.1005.5231,
title = {Ripple-to-dome transition: the growth evolution of Ge on vicinal Si(1 1 10) surface},
author = {L. Persichetti and A. Sgarlata and M. Fanfoni and A. Balzarotti},
journal= {arXiv preprint arXiv:1005.5231},
year = {2010}
}