高指数硅表面上 Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ 结构形状演化的普适性

在重构的高指数表面（如 Si(5 5 12)、Si(5 5 7) 和 Si(5 5 3)）上经 MBE 生长的 Si$_{1-x}$Ge$_x$ 岛屿，在形状演化和生长指数参数上表现出普适性，且与衬底取向和岛屿结构的尺寸无关。通过在动力学蒙特卡罗 (kMC) 模拟中将偏差参数 ($\epsilon$) 引入表面势垒项 ($E_D$) 作为一种可能的机制，对该现象进行了解释。