半导体薄膜生长中的普适涨落
统计力学
2014-01-28 v1
摘要
研究了通过热壁外延生长的多晶 CdTe/Si(100) 薄膜表面涨落的标度行为。在丘状生长机制下，表面粗糙度的生长指数和自相关函数的动力学指数与 Kardar-Parisi-Zhang (KPZ) 类的值一致。高度、局部粗糙度和极值高度的标度分布显示出与 KPZ 类的显著重合，提供了 维中 KPZ 分布的首次实验观测。动力学指数和粗糙度指数的长时间估计值与 KPZ 值的偏差，由多峰合并丘的虚假效应以及晶粒形状效应所解释。因此，这种研究生长薄膜普适类的方法超越了简单的标度指数比较。
引用
@article{arxiv.1312.1478,
title = {Universal fluctuations in the growth of semiconductor thin films},
author = {R. A. L. Almeida and S. O. Ferreira and T. J. Oliveira and F. D. A. Aarao Reis},
journal= {arXiv preprint arXiv:1312.1478},
year = {2014}
}
备注
5 pages, 3 figures