温度对 (2+1) 维实验性 Kardar-Parisi-Zhang 生长的影响
统计力学
2015-02-27 v1 材料科学
摘要
我们报道了衬底温度 (T) 对沉积在 Si(001) 上的多晶 CdTe 薄膜的局部结构和长波涨落的影响。观察到强烈的 T 依赖的丘状演化，并用晶界处晶粒间扩散的能垒加以解释，这得到了蒙特卡洛模拟的证实。随着 T 升高，这导致了从非关联生长到从随机生长到关联生长的跨接以及瞬态反常标度的转变。由于这些有限时间效应，我们未能通过临界指数确定该系统的普适性类。尽管如此，我们证明这可以通过分析高度、粗糙度和最大高度分布来规避，这使我们能够证明 CdTe 在较宽 T 范围内渐近地按照 Kardar-Parisi-Zhang (KPZ) 方程生长。更重要的是，人们在低 (高) T 下发现生长中的正 (负) 速度超额，表明可通过调节温度来控制 KPZ 非线性。
引用
@article{arxiv.1502.01517,
title = {Temperature effect on (2+1) experimental Kardar-Parisi-Zhang growth},
author = {R. A. L. Almeida and S. O. Ferreira and I. R. B. Ribeiro and T. J. Oliveira},
journal= {arXiv preprint arXiv:1502.01517},
year = {2015}
}
备注
6 pages, 5 figures