在温度梯度下生长的磁性薄膜的非平衡临界行为

我们研究了在横向温度梯度影响下 $(2+1)$ 维磁性薄膜的不可逆生长，该温度梯度由垂直于生长方向的热浴维持。因此，不同的纵向层在 $T_1$ 和 $T_2$ 之间的不同温度下生长，其中 $T_1<T_c^{hom}<T_2$ 且 $T_c^{hom}=0.69(1)$ 是在均匀热浴中生长的薄膜的临界温度。我们发现了一种由热浴梯度驱动的远离平衡的连续有序-无序相变。我们通过标准有限尺寸标度方法表征了这种梯度诱导的临界行为，得到临界温度 $T_c=0.84(2)$ 以及与临界指数集 $\nu=3/2$、$\gamma=5/2$ 和 $\beta=1/4$ 一致的新的普适类。为了进一步深入了解温度梯度的影响，我们还开发了一个能够刻画磁性薄膜生长动力学的键模型。我们的研究结果表明，几何与热浴不对称性的相互作用导致了生长键通量的不对称性以及横向有序效应的出现，这定性地解释了在临界温度中观察到的偏移。通过对界面宽度的有限尺寸标度分析进一步证实了这些机制的相关性，该分析表明系统的生长位点定义了一个自仿射界面。