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温度梯度下薄膜的远离平衡态生长

统计力学 2015-06-05 v1 材料科学

摘要

我们在 (2+1)(2+1)-维带状几何结构中研究了远离平衡态条件下薄膜的不可逆生长。在一个横向方向上,通过固定在温度 T1T_1T2T_2 之间的热浴施加温度梯度,其中 T1<Tchom<T2T_1<T_c^{hom}<T_2,且 Tchom=0.69(1)T_c^{hom}=0.69(1) 是系统与均匀热浴接触时的临界温度。利用标准的有限尺寸标度方法,我们表征了由热浴梯度驱动的连续有序 - 无序相变,其临界温度为 Tc=0.84(2)T_c=0.84(2),临界指数为 ν=1.53(6)\nu=1.53(6)γ=2.54(11)\gamma=2.54(11)β=0.26(8)\beta=0.26(8),这些指数属于不同于在均匀热浴中生长的薄膜的普适类。此外,我们通过一种能够捕捉生长动力学的键模型分析了温度梯度的效应。几何结构与热浴不对称性的相互作用导致了生长键通量的不对称性以及横向有序效应的出现,从而定性地解释了临界温度的偏移。

关键词

引用

@article{arxiv.1207.3559,
  title  = {Far-from-equilibrium growth of thin films in a temperature gradient},
  author = {Julián Candia and Ezequiel V. Albano},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1207.3559},
  year   = {2015}
}

备注

4 pages, 4 figures. arXiv admin note: substantial text overlap with arXiv:1207.2532