纳米线中成核与层生长的独立控制
应用物理
2020-03-13 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
结晶过程的控制对于以原子精度开发新型材料以满足电子与量子技术应用的需求至关重要。通过气-液-固过程生长的半导体纳米线是一种颇具前景的材料体系,其中形成具有块体无法实现的结构与成分的组分的能力已得到充分确立。此处我们利用 GaAs 纳米线生长的原位 TEM 成像来理解生长动力学与实验参数相关联的过程。我们发现结晶过程中的两个顺序步骤——成核与层生长——可在相近的时间尺度上发生,并可使用不同的生长参数独立控制。重要的是,层生长过程在所有条件下都对生长时间有显著贡献,并将在决定材料性质方面发挥主要作用。这些结果通过关联生长动力学、液滴与实验参数的理论模拟得以理解。
引用
@article{arxiv.1905.08225,
title = {Independent control of nucleation and layer growth in nanowires},
author = {Carina B. Maliakkal and Erik K. Mårtensson and Marcus Tornberg and Daniel Jacobsson and Axel R. Persson and Jonas Johansson and Reine Wallenberg and Kimberly A. Dick},
journal= {arXiv preprint arXiv:1905.08225},
year = {2020}
}
备注
Differences in comparison to previous version: 1) Title- To avoid unlikely but possible confusion of the term 'step-flow' we call it layer growth in this new version. 2) The data and interpretations are mostly the same as in previous version, but presented in a modified perspective. 3) The simulation was refined further