锯齿状 GaN 纳米线的气 - 液 - 固生长：动力学受挫驱动的形状选择
介观与纳米尺度物理
2013-05-20 v1 材料科学
摘要
化合物半导体纳米线是多种纳米电子器件的有前景的构建模块，然而无法可靠地控制其生长形貌是一个主要挑战。在此，我们报道了 Au 催化的气 - 液 - 固（VLS）生长 GaN 纳米线，实现了受控的生长方向、表面极性和表面粗糙度。我们开发了一个理论模型，将生长形态与跨越生长纳米线前端的 V(N)/III(Ga) 比率变化所引起的动力学受挫联系起来。模型预测通过催化剂颗粒尺寸和加工条件的系统变化所诱导的原位生长形貌趋势得到了验证。本研究强调的形状选择原理为技术相关的化合物半导体纳米线的形貌控制铺平了道路。
引用
@article{arxiv.1305.3936,
title = {Vapor-liquid-solid growth of serrated GaN nanowires: Shape selection driven by kinetic frustration},
author = {Zheng Ma and Dillon McDowell and Eugen Panaitescu and Albert V. Davidov and Moneesh Upmanyu and Latika Menon},
journal= {arXiv preprint arXiv:1305.3936},
year = {2013}
}
备注
5 figures