自组织半导体量子点通用形状
其他凝聚态物理
2007-05-23 v1
摘要
通过扫描隧道显微镜比较研究了由元素与化合物半导体构成的自组织量子点模型系统，即 Si(001) 上的 Ge 以及 GaAs(001) 上的 InAs。结果表明，在两种材料组合中，仅存在两种明确定义的、具有面状和无缺陷的纳米晶族群（并存）。这些三维岛屿——金字塔和圆顶——显示出独立于具体材料体系的普遍形态特征。对封盖掩膜工艺使其成为真正量子点的过程也进一步证明了这种普遍性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0406380,
title = {Universal shapes of self-organized semiconductor quantum dots},
author = {G. Costantini and A. Rastelli and C. Manzano and R. Songmuang and O. G. Schmidt and H. v. Kaenel and K. Kern},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0406380},
year = {2007}
}
备注
10 pages, 3 figures