Ge/Si 纳米线中的单、双和三量子点
介观与纳米尺度物理
2018-08-29 v1
摘要
我们报道了 Ge/Si 核/壳纳米线(NWs)中空穴的高度可调控制。我们展示了创建不同尺寸的单量子点(QDs)的能力，其具有低空穴占据数和清晰可观测的激发态。对于最小的点尺寸，我们观察到单空穴占据的迹象。此外，我们创建了双和 triple 隧穿耦合量子点阵列。在双量子点构型中我们观察到泡利自旋阻塞(PSB)。这些结果为在这些器件中进行空穴自旋量子比特实验开辟了道路。
引用
@article{arxiv.1805.02532,
title = {Single, double, and triple quantum dots in Ge/Si nanowires},
author = {F. N. M. Froning and M. K. Rehmann and J. Ridderbos and M. Brauns and F. A. Zwanenburg and A. Li and E. P. A. M. Bakkers and D. M. Zumbühl and F. R. Braakman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1805.02532},
year = {2018}
}