未掺杂 GaAs/AlGaAs 异质结中的少空穴双量子点
介观与纳米尺度物理
2015-06-18 v1
摘要
我们在未掺杂的 GaAs/AlGaAs 异质结中演示了一种空穴双量子点。点间耦合可在宽范围内调节，从形成一个大单量子点到两个隔离良好的量子点。利用电荷传感，我们展示了完全清空量子点中空穴以及在少空穴区域控制电荷占据的能力。该器件应能实现对 GaAs 中单量子点和双量子点内单个空穴自旋的控制。
引用
@article{arxiv.1312.1977,
title = {Few-hole double quantum dot in an undoped GaAs/AlGaAs heterostructure},
author = {L. A. Tracy and T. W. Hargett and J. L. Reno},
journal= {arXiv preprint arXiv:1312.1977},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 4 figures, submitted for publication