AlGaAs/GaAs 量子点中少数电子能级结构的光学调控
介观与纳米尺度物理
2015-05-13 v1 材料科学
摘要
通过在 AlGaAs 势垒中被吸收的弱激光束照射，实现了对纳米加工 GaAs/AlGaAs 量子点中横向量子限域和受限电子数的光学控制。通过共振非弹性光散射监测电子从最低量子点能壳层的低能跃迁，展示了能级结构和电子布居的精确调谐。这些发现为在这些量子点中操纵单电子开辟了道路，而无需外部金属栅极。
引用
@article{arxiv.0801.0364,
title = {Optical control of energy-level structure of few electrons in AlGaAs/GaAs quantum dots},
author = {Sokratis Kalliakos and Vittorio Pellegrini and Cesar Pascual Garcia and Aron Pinczuk and Loren N. Pfeiffer and Ken. W. West},
journal= {arXiv preprint arXiv:0801.0364},
year = {2015}
}
备注
To appear in NanoLetters