由纳米线多型形成并通过外延标记识别的可独立寻址双量子点

双量子点(DQDs)作为量子技术的构建模块大有前景，因为它们允许两个电子态相干耦合。用材料而非静电门控来定义量子点，可得到具有硬壁限域势以及更稳健的电荷和自旋态的量子点。一个未解决的问题是如何独立寻址这些量子点，这对于控制量子态是必要的。我们在此报道了由 InAs 纳米线中纤锌矿和闪锌矿晶相界面处的导带边偏移定义的双量子点器件的制备。通过使用选择性形成于一种晶相上的牺牲性外延 GaSb 标记，我们能够精确对齐栅电极，从而独立探测和控制每个量子点。因此我们观察到教科书式的电荷稳定性图、离散能谱以及与理论估计一致的电子数，并研究了器件的可调性，发现改变电子数可用于调节隧穿势垒，正如简单能带图论证所预期的那样。