利用横向电场通过电注入空穴对单个InAs量子点进行充电
介观与纳米尺度物理
2020-07-01 v2
摘要
InAs/GaAs量子点（QDs）与量子点分子（QDMs）是可自组装的半导体纳米结构，能够囚禁具有明确自旋投影的单个电子或空穴。QDs与QDMs具有优异的光学性质，长期以来被关注用于从单光子源到多比特量子计算机等量子光电子器件中。单个QD或其中受限载流子的性质可通过外电场调控，这为可扩展可调谐器件的发展提供了重要工具。利用单个电子或空穴对QD进行确定性充电是量子器件的重要工具，且在二极管结构中施加生长方向电场下的方法已十分成熟。在此，我们报道一种三电极器件中单个QD的新充电机制，该器件不含垂直二极管，并可用于二维电场分布的调控。我们用电子束光刻制备器件，并在不同偏置配置下表征单个QD的光致发光。结合实验数据与COMSOL能带结构计算，我们解释了充电如何源于横向电场诱导的空穴电注入。我们讨论了该器件的应用以及实现单个QD与QDM全二维电场控制的潜力。
引用
@article{arxiv.1810.11494,
title = {Charging of a Single InAs QD with Electrically-Injected Holes using a Lateral Electric Field},
author = {Xiangyu Ma and Yuejing Wang and Joshua Zide and Matthew Doty},
journal= {arXiv preprint arXiv:1810.11494},
year = {2020}
}