Si(001)表面Ge量子点阵列的缺陷
材料科学
2009-11-14 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
Ge量子点阵列的缺陷可能影响Ge/Si异质结构的电物理、光电或光学性质，以及基于这些结构制造的器件的功能性。通过集成有分子束外延腔的超高真空扫描隧道显微镜，研究了在中等温度下于Si(001)表面形成的Ge量子点阵列的缺陷。对缺陷进行了初步分类。研究了缺陷的形态特征。确定了不同类型缺陷的表面密度。
引用
@article{arxiv.0908.0841,
title = {Defects of Ge quantum dot arrays on the Si(001) surface},
author = {V. A. Yuryev and L. V. Arapkina},
journal= {arXiv preprint arXiv:0908.0841},
year = {2009}
}
备注
Reported at the 25th International Conference on Defects in Semiconductors, St. Petersburg, Russia, July 20-24, 2009