Bi 纳米线与 Si(001) 衬底间的电子耦合:实验与理论研究
材料科学
2017-12-20 v2
摘要
原子纳米线是通过在衬底上组装许多原子成长阵列实现的一维系统。纳米线的电子性质依赖于衬底的性质。此处我们表明,要完全理解洁净 Si(001) 上 Bi 纳米线的电子性质,必须考虑若干不同的贡献。扫描隧道显微镜揭示随着成像偏压变化,纳米线上出现多种不同图样。我们观察到与成像原子 p 轨道相关的 Bi 二聚体电子相移,以及 Bi 纳米线与邻近 Si 二聚体间的电子耦合,这影响了二者的形貌。理解 Bi 纳米线与 Si 衬底间的相互作用可为调控纳米线电子性质开辟新途径。
引用
@article{arxiv.1710.09592,
title = {Electronic coupling between Bi nanolines and the Si(001) substrate: An experimental and theoretical study},
author = {M. Longobardi and C. J. Kirkham and R. Villarreal and S. A. Koster and D. R. Bowler and Ch. Renner},
journal= {arXiv preprint arXiv:1710.09592},
year = {2017}
}
备注
6 pages (main), 2 pages (SI), accepted by Phys. Rev. B