Si(001) 上铋纳米线中 Si 二聚体缺陷动态运动产生的亚原子电子特征
介观与纳米尺度物理
2017-08-16 v1 材料科学
摘要
扫描隧道显微镜（STM）揭示了在 Si(001) 上自组装的原本无缺陷的铋纳米线中的异常尖锐特征。它们在正偏压下表现为垂直于铋纳米线的亚原子细线，在负偏压下表现为原子尺寸的珠粒。密度泛函理论（DFT）模拟表明，这些特征可归因于纳米线中替代 Bi 二聚体的屈曲 Si 二聚体，其中尖锐特征是这些二聚体在扫描期间翻转的反直觉信号。本研究中展示的 STM 数据与 DFT 模拟之间的完美对应，凸显了我们对复杂的 Bi-Si(001) Haiku 系统的详细理解。
引用
@article{arxiv.1705.01318,
title = {Sub-atomic electronic feature from dynamic motion of Si dimer defects in bismuth nanolines on Si(001)},
author = {C. J. Kirkham and M. Longobardi and S. A. Koster and Ch. Renner and D. R. Bowler},
journal= {arXiv preprint arXiv:1705.01318},
year = {2017}
}
备注
Five pages, six figures, submitted to PRL