Si(001):H表面内延Si纳米线的研究
介观与纳米尺度物理
2015-05-27 v1
摘要
我们详细研究了嵌入氢钝化硅(001)表面的一种自组装硅纳米线的结构和电子性质，这种纳米线被称为Haiku条纹。该纳米线是一种具有巨大长径比的完美笔直且无缺陷的内延结构；它可以在恒定宽度恰好为四个硅二聚体(1.54 nm)的条件下生长至微米级长度。另一个显著特性是其能够暴露于空气中而不发生任何退化。该纳米线的生长独立于任何台阶边缘，且密度可调，从孤立的纳米线到密集的纳米线阵列均可实现。除了这些独特的结构特征外，扫描隧道显微镜和密度泛函理论揭示了一个沿Haiku核心受限的一维态。这种纳米线是长期寻求的电子固态一维模型系统的有前途的候选者，可用于探索这种降维系统中出现的迷人量子特性。
引用
@article{arxiv.1103.3142,
title = {Endotaxial Si nanolines in Si(001):H},
author = {F. Bianco and J. H. G. Owen and S. A. Köster and D. Mazur and D. R. Bowler and Ch. Renner},
journal= {arXiv preprint arXiv:1103.3142},
year = {2015}
}
备注
8 pages, 6 figures