应力释放是生长 Bi 纳米线的推动力
材料科学
2009-11-07 v1
摘要
基底与吸附材料之间的应力差异往往被认为是纳米结构自组装的驱动力。Bi 纳米线在 Si(001) 上自组装，具有显著的直线性和长度——它们的长度常常超过 400 纳米，纳米线中从未观察到过弯折。通过电子结构计算，我们发现了与扫描隧道显微镜和光谱实验一致的能量最优结构；该结构具有极其不寻常的亚表面结构，由 7 元硅环组成的双核结构。我们提出的结构解释了所有观察到的纳米线特征，表明 Bi 与 Si 基底之间的应力不匹配是导致其自组装的原因。这一发现对半导体表面纳米结构的受控生长具有更广泛的意义。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0202529,
title = {Stress relief as the driving force for self-assembled Bi nanolines},
author = {J. H. G. Owen and K. Miki and H. Koh and H. W. Yeom and D. R. Bowler},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0202529},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 4 figures, submitted to Phys. Rev. Lett