银 monolayer 夹层于石墨与 SiC 之间的点缺陷及其动力学行为

点缺陷引起结构和电子性质的尖锐修改，为原子水平的基础研究和潜在应用提供了平台。本文利用扫描隧道显微镜研究夹层于石墨与 SiC 上的银 monolayer 中的原子尺度缺陷。确认暗色和亮色缺陷分别为银 monolayer 中的空位或取代性杂质，每种缺陷均承载局域电子态。令人惊讶的是，在为负偏置施加隧道电子激发时，亮色缺陷表现出其动力学行为，表现为在两种状态之间的非弹性切换。该切换可通过显微镜针尖可逆控制，使缺陷能够作为原子尺度的双水平导电开关。分析缺陷切换揭示了可能的缺陷来源以及暗色和亮色缺陷种类的关系。我们的发现为精确操控二维金属中的缺陷铺路，并揭示了潜在用于纳米电子器件的前所未有的动力学。