硅烯中屈曲相之间的界面：从头算密度泛函理论计算
材料科学
2013-12-13 v1
摘要
硅烯的屈曲结构导致了新型线缺陷的可能性，这些缺陷分隔了具有相反屈曲相的区域。在目前的工作中，我们表明这些新的晶界具有非常低的形成能，比石墨烯中的晶界低一个数量级。这些缺陷沿不同取向稳定，并且都可以通过STM图像区分。所有这些缺陷都表现出Si原子之间的局部二聚化，形成π键。因此，与原始区域相比，这些缺陷是优先吸附位点。因此，低形成能和更高反应性的结合可以巧妙地用于设计嵌入硅烯中的新型纳米结构。
引用
@article{arxiv.1312.3344,
title = {Interfaces between buckling phases in Silicene: Ab initio density functional theory calculations},
author = {Matheus P. Lima and A. Fazzio and Antonio J. R. da Silva},
journal= {arXiv preprint arXiv:1312.3344},
year = {2013}
}
备注
8 pages, 8 figures