$Ti_3GeC_2$与$Ti_2GeC$中的本征点缺陷
材料科学
2019-04-09 v1
摘要
利用密度泛函理论,我们计算了MAX相与化合物中本征点缺陷(空位、间隙原子和反位原子)的形成能。在中,形成能为2.87 eV的Ge空位是最稳定的缺陷;而在中,形成能为2.47 eV的C空位是最稳定的缺陷。尤其发现,Ge空位是强声子散射中心,降低了中晶格对热导率的贡献。在这两种化合物中,所报道的高热导与高电导均归因于电子贡献,其源自费米能级处的高态密度。
引用
@article{arxiv.1904.03852,
title = {Native point defects in $Ti_3GeC_2$ and $Ti_2GeC$},
author = {M. H. N. Assadi and H. Katayama-Yoshida},
journal= {arXiv preprint arXiv:1904.03852},
year = {2019}
}
备注
7 Pages, 4 Figures, 2 Tables