反铁磁拓扑绝缘体MnBi$_2$Te$_4$中的本征缺陷
材料科学
2021-01-04 v1
摘要
利用扫描隧道显微镜与谱学，我们观测了反铁磁拓扑绝缘体中的本征缺陷。两种本征缺陷和反位在形貌图像中可被清晰分辨。倾向于抑制导带边态密度。谱学成像揭示了在费米能级以下约80~meV处存在局域峰状局域态密度。对形貌与谱学图像的仔细检视，结合密度泛函理论计算，表明这源于Mn位上的反位。与反位的随机分布导致了中费米能级附近局域态密度的空间涨落。
引用
@article{arxiv.2009.07437,
title = {Native Defects in Antiferromagnetic Topological Insulator MnBi$_2$Te$_4$},
author = {Zengle Huang and Mao-Hua Du and Jiaqiang Yan and Weida Wu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2009.07437},
year = {2021}
}
备注
6 pages, 4 figures