MnBi$_2$Te$_4$ 中缺陷驱动的铁磁性与隐藏磁化
材料科学
2021-06-03 v2
摘要
MnBiTe (MBT) 材料是有前景的反铁磁拓扑绝缘体，其中预言场驱动的铁磁性会引起轴子绝缘体与 Weyl 半金属态之间的转变。然而，Mn/Bi 反位缺陷与主 Mn 层之间的反铁磁耦合会降低低场磁化强度，并且已表明此类缺陷在结构相同的平庸磁性绝缘体 MnSbTe (MST) 中更为普遍。我们利用高场磁化测量表明，MBT 和 MST 的磁化是分阶段发生的，完全饱和需要约 60 特斯拉的场。因此，MBT 中的低场磁化平台态（许多量子反常霍尔态的测定在此状态下进行）实际上由同时具有一致和交错磁化分量的铁磁七重层块组成。
引用
@article{arxiv.2102.05797,
title = {Defect-driven ferrimagnetism and hidden magnetization in MnBi$_2$Te$_4$},
author = {You Lai and Liqin Ke and Jiaqiang Yan and Ross D. McDonald and Robert J. McQueeney},
journal= {arXiv preprint arXiv:2102.05797},
year = {2021}
}
备注
9 pages, 6 figures