固体中带电缺陷形成能的精确计算：一种系统方法
介观与纳米尺度物理
2017-07-05 v1
摘要
半导体表面的缺陷对其反应性和催化性质有很强的影响。缺陷不同电荷态的浓度由其形成能决定。第一性原理计算是计算缺陷形成能和研究缺陷微观环境的重要工具。这些计算中广泛使用的超胞方法的主要问题是静电能量中的误差，该误差在涉及表面 slab 和二维材料的计算中尤为显著。我们提出了一种内部一致的方法，用于在非均匀和各向异性介电环境中计算缺陷形成能，并证明了其适用于 NaCl (100) 表面上带正电的 Cl 空位以及单层 MoS2 中带负电的 S 空位的情况。
引用
@article{arxiv.1701.02521,
title = {Accurate formation energies of charged defects in solids: a systematic approach},
author = {Dmitry Vinichenko and M. Gokhan Sensoy and Cynthia M. Friend and Efthimios Kaxiras},
journal= {arXiv preprint arXiv:1701.02521},
year = {2017}
}