固体中带电缺陷的公式重审
材料科学
2024-07-12 v1
摘要
缺陷物理是微电子学的核心。通过跟踪总能量计算中的参考能量，我们明确显示“势能对齐”校正消失，经典的马克诺-佩恩校正可获得准确结果。从线性响应理论出发，我们进一步推导了精确的四极矩校正表达式。应用于众多缺陷，包括各向异性材料，可在小超胞中获得准确形成能，且 2+ 金刚石空位的历史性慢收敛问题被证明是由于缺陷引起的能隙随尺寸变化导致介电常数尺寸相关的结果。
引用
@article{arxiv.2407.08504,
title = {Revisiting the Formulation of Charged Defect in Solids},
author = {Hanzhi Shang and Zeyu Jiang and Yiyang Sun and Damien West and Shengbai Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2407.08504},
year = {2024}
}