精确确定低维半导体中缺陷电离能：电荷修正的 jelly 模型
材料科学
2020-07-15 v1
摘要
低维半导体中缺陷电离能的确定一直是第一性原理缺陷计算中长期未解决的问题，因为常用的基于 jelly 模型的方法引入了在材料和真空区域均匀分布的非物理电荷密度，导致带电缺陷形成能的著名发散问题。本文中，通过考虑缺陷电离的物理过程，我们提出一种基于 jelly 模型的电荷修正方法，用带边电荷密度替代非物理的 jelly 背景电荷密度来处理带电缺陷。我们证明，我们的方法在物理上有意义、定量准确且在技术上简便，可确定缺陷电离能，从而解决了缺陷计算中的长期问题。我们提出的方法可应用于任意维度的半导体。
引用
@article{arxiv.2001.03895,
title = {Accurately Determining Defect Ionization Energy in Low-Dimensional Semiconductors: Charge Corrected Jellium Model},
author = {Guo-jun Zhu and Xin-Gao Gong and Ji-Hui Yang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2001.03895},
year = {2020}
}