GaAs (110) 表面附近 As 反位缺陷周围的电子结构
材料科学
2007-05-23 v3
摘要
在稳定和亚稳原子构型下，研究了体相及表面附近 GaAs 中单个 As 反位缺陷周围的电子结构。As 反位缺陷最具特征的电子结构是存在从 As 反位缺陷延伸出的局域 p 轨道。在稳定构型中，As 反位缺陷最高占据态的主要分量是与相邻 As 原子带节点连接的 s 轨道；而在亚稳构型中，则是无节点连接的 p 轨道。在 As 反位缺陷的各种构型中，As 反位缺陷周围 As 原子上均存在局域 p 轨道。除了 As 反位缺陷恰好位于表面层的情况外，这些特征均得以保留；在表面层情况下，带隙能级弥散进入导带，且价带顶部附近不存在局域态。讨论了在低温生长 GaAs 中观察到的缺陷的扫描隧道显微图像（可能被归因为 As 反位缺陷）、亚稳性的起源以及表面层中缺陷的特殊性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0404119,
title = {The electronic structure around As antisite near (110) surface of GaAs},
author = {Yusuke Iguchi and Takeo Fujiwara and Akira Hida and Koji Maeda},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0404119},
year = {2007}
}
备注
11 pages, 9 figures