清洁 InAs(111) 表面电子积累层起源研究
材料科学
2021-03-05 v2
摘要
本文对 InAs(111) 表面的电子结构进行了全面的理论分析，特别关注靠近基本带隙的能量区域。从使用包含 Hubbard 修正和自旋轨道耦合的 PBE 泛函计算的 InAs 体电子结构出发，我们给出了与现有实验结果完全一致的带隙、分裂能以及有效电子、轻空穴和重空穴质量的恰当数值。基于优化后的原子表面，我们重现了扫描隧道显微镜图像，结合可获取的实验数据，使得推测 As- 和 In-终止的 InAs(111) 表面电子积累层的形成成为可能。此外，这些结果还辅以导带态的能带结构模拟。
引用
@article{arxiv.2009.01594,
title = {On the origin of electron accumulation layer at clean InAs(111) surfaces},
author = {Ivan Vrubel and Dmitry Yudin and Anastasiia Pervishko},
journal= {arXiv preprint arXiv:2009.01594},
year = {2021}
}
备注
9 pages, 3 figures