p 型 GaAs(110) 表面的电子能量耗散
介观与纳米尺度物理
2014-07-25 v1 材料科学
摘要
利用扫描隧道显微镜针尖向 p 型 GaAs(110) 表面注入电子，已在体相中诱导出发光现象。原子级分辨的光子图谱显示，在局域于 Ga 原子附近的表面态处，发光强度显著降低。基于第一性原理计算和速率方程方法进行了定量分析，以描述入射隧道电子的整体能量耗散过程。我们的研究表明，体相电子态中的复合过程受到表面快速电子散射的抑制，电子主要通过表面态发生非辐射复合。
引用
@article{arxiv.1407.6403,
title = {Energy dissipation of electrons at a p-type GaAs(110) surface},
author = {Hiroshi Imada and Kuniyuki Miwa and Jaehoon Jung and Tomoko K. Shimizu and Naoki Yamamoto and Yousoo Kim},
journal= {arXiv preprint arXiv:1407.6403},
year = {2014}
}