p 型掺杂 GaAs 表面的能量分辨电子自旋动力学
材料科学
2017-08-10 v1
摘要
通过自旋、时间和能量分辨的双光子光电子发射，研究了 p 型掺杂 GaAs 不同表面的电子自旋弛豫。这些结果与通过时间分辨法拉第旋转测量获得的体材料结果以及 Bir-Aronov-Pikus 自旋翻转机制的计算进行了对比。由于 (100) 表面能带弯曲区域中空穴密度降低，自旋弛豫时间向低能量方向增加了两个数量级以上。在平带 (011) 表面，获得了与我们对体 GaAs 的测量和计算一致的自旋弛豫时间常数。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0508601,
title = {Energy-resolved electron-spin dynamics at surfaces of p-doped GaAs},
author = {H. C. Schneider and J. -P. Wuestenberg and O. Andreyev and K. Hiebbner and L. Guo and J. Lange and L. Schreiber and B. Beschoten and M. Bauer and M. Aeschlimann},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0508601},
year = {2017}
}
备注
6 pages, 4 figures