体GaAs中电子自旋翻转的Pauli阻塞
介观与纳米尺度物理
2009-11-22 v3 材料科学
摘要
通过强光泵浦下的时间分辨光学取向，实验确定了未掺杂GaAs中电子自旋翻转时间（t_sf）的k依赖性。当电子动能从2 meV变化到30 meV时，t_sf单调下降一个多数量级。在报告实验的高激发密度和低温条件下，导带电子主要的自旋翻转机制是Bir-Aronov-Pikus机制。通过蒙特卡洛模拟，我们证明相空间填充效应导致自旋翻转的阻塞，使得t_sf随激发密度增加而增加。这些效应在k=0处获得高达30 ns的t_sf值，这是在无磁场条件下未掺杂GaAs中报道的最长自旋弛豫时间。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0606173,
title = {Pauli blockade of the electron spin flip in bulk GaAs},
author = {A. Amo and L. Vina and P. Lugli and C. Tejedor and A. I. Toropov and K. S. Zhuravlev},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0606173},
year = {2009}
}
备注
new author added, major changes in section IV (phenomenological model), minor changes throughout the entire manuscript