体相 III-V 族半导体中传导电子的自旋弛豫
材料科学
2009-11-07 v3
摘要
本文从理论上计算了 型和 型体相 GaAs、GaSb、InAs 和 InSb 中传导电子通过 Elliot-Yafet、D'yakonov-Perel 和 Bir-Aronov-Pikus 机制的自旋弛豫时间。比较了每种自旋弛豫机制的相对重要性，并构建了作为温度和杂质浓度函数的显示主导机制的相图。我们的方法基于动量弛豫率的理论计算，能够理解在很宽的温度和杂质浓度范围内影响自旋弛豫的各种因素之间的相互竞争。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0111076,
title = {Spin relaxation of conduction electrons in bulk III-V semiconductors},
author = {Pil Hun Song and K. W. Kim},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0111076},
year = {2009}
}
备注
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