GaAs 量子点系统中的电子自旋弛豫：超精细相互作用的作用
介观与纳米尺度物理
2007-12-17 v1 其他凝聚态物理
摘要
我们给出了垂直磁场下单个及横向耦合双 GaAs 量子点系统中电子自旋弛豫率的数值结果。作为自旋弛豫的来源，我们考虑了与 GaAs 衬底中核自旋的超精细相互作用。由于核塞曼能与电子塞曼能的能标差异，必须考虑声子浴系统以进行能量耗散。相应的二阶跃迁率显示出对电子间关联及电子能级差的强烈依赖，因而也依赖于磁场。对于高度不对称的双量子点，我们在很宽的磁场范围内发现了相对较低的二阶电子自旋弛豫率。
引用
@article{arxiv.0712.2376,
title = {Electron spin relaxation in GaAs quantum dot systems - The role of the hyperfine interaction},
author = {Johannes Voss and Daniela Pfannkuche},
journal= {arXiv preprint arXiv:0712.2376},
year = {2007}
}
备注
14 pages, 10 figures