CeRh$_{2}$As$_{2}$的电子性质与表面态

局域非中心对称CeRh$_{2}$As$_{2}$表现出特征性的两相对应 $H$--$T$ 超导相图。从偶宇称到奇宇称超导相的跃变由P4/nmm晶体结构支持，并可由外磁场诱导。Ce $f$ 电子的双重性及其巡游与局域性质间的竞争可能对其物理性质十分重要。该材料中已有的能带结构仍存在争议。系统中出现的能量尺度可能对其超导性质的恰当理论描述十分重要。本文中，我们讨论由 {\it ab initio} 计算获得的能带结构。我们分析可与近期角分辨光电子能谱测量（ARPES）相比较的电子表面态。此外，我们给出由能带结构获得的跳跃参数的分析。As-Rh层原子间的跳跃参数远比Ce-Ce原子间获得的显著。这表明需要对紧束缚模型进行修正，以恰当描述CeRh$_{2}$As$_{2}$的物理性质。