GeS$_2$-Ga$_2$S$_3$ 玻璃中的局部构型

(GeS$_2$)$_{0.75}$(Ga$_2$S$_3$)$_{0.25}$ 和 (GeS$_2$)$_{0.83}$(Ga$_2$S$_3$)$_{0.17}$ 玻璃的结构通过拉曼散射、高能 X 射线衍射以及在 Ga 和 Ge 的 K 吸收边进行的扩展 X 射线吸收精细结构（EXAFS）测量进行了研究。采用反向蒙特卡罗模拟技术（RMC）获得了与衍射和 EXAFS 数据集相容的结构模型。研究发现 Ga 的配位数接近于 4。虽然 Ge 原子仅有 S 邻居，但 Ga 除了与 S 结合外还与 Ga 原子结合，显示出 GeS$_2$-Ga$_2$S$_3$ 玻璃中化学有序性的违背。对 [GeS$_{4/2}$] 单元之间角共享和边共享的分析表明，约 30% 的锗原子参与了边共享四面体。