超导增强的少层石墨烯纳米带电导涨落
介观与纳米尺度物理
2015-05-14 v1
摘要
我们研究了由两个超导（S）Ti/Al接触的少层石墨烯纳米带（FGNR）中由无序引起的均方根电导方差δG。通过扫描背栅电压，我们观察到在两端电导G的线性背景上叠加了明显的电导涨落。线性栅压诱导响应可以通过一组层间和层内电容来建模。δG依赖于温度T和源漏电压Vsd。δG随T和|Vsd|的降低而增加。当降低|Vsd|时，在对应于超导能隙Δ的电压处观察到明显的交叉。对于|Vsd| ≤ Δ，涨落显著增强。以单个石墨烯-超导体（G-S）界面的电导方差GGS表示，在230 mK的基础温度下获得0.58 e²/h的值。亚能隙区域的电导方差比正常态大1.4-1.8倍。观察到的强增强是由于纳米带-超导体界面处的Andreev反射引起的相位相干电荷转移。
引用
@article{arxiv.0912.0389,
title = {Superconductivity enhanced conductance fluctuations in few layer graphene nanoribbons},
author = {J. Trbovic and N. Minder and F. Freitag and C. Schönenberger},
journal= {arXiv preprint arXiv:0912.0389},
year = {2015}
}
备注
15 pages, 5 figures