不同电荷密度区间下具有超导接触点的石墨烯器件中的电导涨落
介观与纳米尺度物理
2011-09-19 v1
摘要
研究了具有铝制超导源极和漏极接触点的单层石墨烯器件中的电导涨落 (CF)。发现超导性使 CF 增强了 1.4 到 2 倍。这种 CF 的（近乎）加倍表明相位相干长度 。与之前的工作相比，我们发现 CF 对栅极电压的依赖性相对较弱，因此对载流子密度的依赖性也较弱。我们还证明，在电荷中性点处 CF 是较大还是较小，可能强烈依赖于需要减去的串联电阻 。
引用
@article{arxiv.1108.4599,
title = {Conductance fluctuations in graphene devices with superconducting contacts in different charge density regimes},
author = {F. Freitag and J. Trbovic and C. Schönenberger},
journal= {arXiv preprint arXiv:1108.4599},
year = {2011}
}
备注
5 figures