三维金属 Si 单晶中的普适电导波动
无序系统与神经网络
2009-10-31 v2
摘要
本文报告了在通过重掺杂使其成为金属的 Si 单晶中测量的电导波动。由于样品的所有尺寸 (L) 都远大于电子相干长度 L_φ（L/L_φ ≈ 10^3），该体系是真正的三维体系。温度和磁场依赖性的噪声强烈指明普适电导波动 (UCF) 是观察到噪声幅值的主要来源。在单个相干区域 L_φ^3 内的电导波动被发现饱和于 <(δG_φ)^2> ≈ (e^2/h)^2。对无序程度的精确认识，使我们能够计算单个散射器移动导致的电导变化 δG_1 ~ e^2/h，这与 3D 系统中理论预期值相比约高 2 个数量级。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9907158,
title = {Universal conductance fluctuations in three dimensional metallic single crystals of Si},
author = {Arindam Ghosh and A. K. Raychaudhuri},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9907158},
year = {2009}
}
备注
Text revised version. 4 eps figs unchanged