三维拓扑半金属中普适电导涨落的数值研究

我们研究了拓扑半金属中的电导涨落。通过拓扑半金属能级的统计分布，我们确定了普适电导涨落（UCF）的主导参数，即非关联能带数 $k$、能级简并度 $s$ 和对称性参数 $\beta$。这些参数使我们能够通过 Altshuler-Lee-Stone 理论预测拓扑半金属的零温本征 UCF。随后，我们数值计算了准一维几何构型拓扑半金属的电导涨落。我们发现，对于 Dirac/Weyl 半金属，理论预测与数值结果相符。然而，对于拓扑节线半金属，发现了一种非普适的电导涨落行为，即电导涨落幅度随自旋轨道耦合（SOC）强度的增大而增大。我们发现，这种出乎意料的参数依赖的电导涨落现象与三维拓扑半金属的费米面形状有关。这些结果将有助于我们理解三维拓扑半金属中 UCF 的现有和未来的实验结果。