掺杂对Ga$_{1-x}$Cr$_{x}$N中氮2$p$态变化的影响
材料科学
2009-11-10 v1
摘要
我们研究了最近发现的稀释磁半导体GaCrN ( = 0.01-0.10)的电子结构。对该材料的基矢晶格中未占据和占据的配体（N）局部分态密度（DOS）进行了系统性研究，分别采用N 1软X射线发射和吸收光谱。X射线吸收测量确认了wurtzite结构中N 2态的DOS以及Cr掺入Ga位点的取代掺杂。联合 Observed的未占据和占据N 2态的DOS变化揭示了导致铁磁性的能态，这与带结构计算结果一致。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0409769,
title = {Doping Dependent Changes in Nitrogen 2$p$ States in the Diluted Magnetic Semiconductor Ga$_{1-x}$Cr$_{x}$N},
author = {T. Takeuchi and Y. Harada and T. Tokushima and M. Taguchi and Y. Takata and A. Chainani and J. J. Kim and H. Makino and T. Yao and T. Yamamoto and T. Tsukamoto and S. Shin and K. Kobayashi},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0409769},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 4 figures, submitted to Phys. Rev. B