利用半导体环结构实现电子自旋干涉测量
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1 材料科学
摘要
利用由 GaAs 制成的环结构实现了导带电子净自旋极化的干涉。光学极化的自旋通过环的两个臂在扩散输运区被分成两个波包。在一个臂上使用圆偏振光进行光泵浦建立了动态核极化，由于超精细相互作用，该极化对电子自旋起到局部有效磁场的作用。这个局部场导致一个自旋波包比另一个进动得更快，从而在波包合并时控制自旋干涉。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0501306,
title = {Electron spin interferometry using a semiconductor ring structure},
author = {Y. K. Kato and R. C. Myers and A. C. Gossard and D. D. Awschalom},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0501306},
year = {2007}
}
备注
4 pages, 2 figures