L形应变n-InGaAs沟道中电子自旋的电学初始化与操控
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
利用L形应变n-InGaAs沟道，仅通过电场即可实现电子自旋的极化和随后的旋转。通过Kerr旋转显微镜直接观察到在无外加磁场情况下电激发自旋的进动。此外，沟道内自旋极化的面内和面外分量被同时成像。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0502627,
title = {Electrical initialization and manipulation of electron spins in an L-shaped strained n-InGaAs channel},
author = {Y. K. Kato and R. C. Myers and A. C. Gossard and D. D. Awschalom},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0502627},
year = {2007}
}
备注
4 pages, 3 figures