InAs/GaAs 自组装量子点中自旋极化的测定
材料科学
2008-04-04 v2
摘要
本研究调查了被困在 InAs 自组装量子点系综中的电子的自旋极化。一种针对自旋能级布居的统计方法使得人们能够从加和能量的测量值推断出自旋极化。根据磁电容谱数据，作者发现在 且温度为 2.8 K 时，当磁场高于 10 T 时电子自旋系综完全极化。最后，通过包含 g 张量各向异性，确定了自旋极化随磁场 方向和强度的角度依赖性。
引用
@article{arxiv.0710.4542,
title = {Determination of spin polarization in InAs/GaAs self-assembled quantum dots},
author = {F. G. G. Hernandez and T. P. Mayer Alegre and G. Medeiros-Ribeiro},
journal= {arXiv preprint arXiv:0710.4542},
year = {2008}
}
备注
3 pages, 2 figures, Accepted Appl. Phys. Lett