含随机取向柱状缺陷的 HgBa(2)Ca(2)Cu(3)O(x) 超导体的电流密度与可逆磁化
超导电性
2007-05-23 v1
摘要
对批量多晶 HgBa(2)Ca(2)Cu(3)O(x) 材料进行离子轰击，以形成随机取向的柱状缺陷。通过 Hg 原子裂解实现此目的。采用 0 至 35×10^16 cm^-2 的质子 fluence 来安装具有最高匹配场 3.4 特斯拉的缺陷。研究了在不同缺陷密度下，随温度和应用磁场变化的平衡磁化和晶内持久电流密度。采用伦敦理论进行磁化建模，并加入涡旋-缺陷相互作用。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0204616,
title = {Current density and reversible magnetization of HgBa(2)Ca(2)Cu(3)O(x) superconductors containing randomly oriented columnar defects},
author = {J. R. Thompson and J. G. Ossandon and L. Krusin-Elbaum and H. J. Kim and D. K. Christen and K. J. Song and K. D. Sorge and J. L. Ullmann},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0204616},
year = {2007}
}
备注
REVTEX text plus 7 Postscript figures